Samsung Reúne Futurismo em Memória 3D
Com o lançamento da memória 3D, a Samsung revoluiona o setor de tecnologia e inteligência artificial.
Revolutionizando a Inteligência Artificial com Memória 3D
A Samsung Electronics, líder global em tecnologia de memória avançada, apresentou suas últimas inovações em memória para inteligência artificial (IA) no Future of Memory and Storage (FMS) 2026 em Santa Clara, Califórnia.
Com a expertise em DRAM, NAND, armazenamento empresarial e tecnologias semicondutoras avançadas, a Samsung apresentou seu portfólio de memória IA mais recente e roadmap de tecnologia, incluindo uma prévia de seus modelos conceituais para zHBM e zNAND-O, a primeira introdução do mercado de V10 BV-NAND com 400 camadas e uma ampla gama de soluções projetadas para avançar a infraestrutura de IA futura.
Visão para a Memória 3D do Futuro
A Samsung destacou sua visão para a próxima geração de arquiteturas de memória 3D no FMS 2026, apresentando o primeiro modelo conceitual de zHBM e zNAND-O.
Concebido para cálculos avançados de IA, zHBM apresenta uma nova arquitetura de memória que estende diretamente HBM acima de aceleradores de IA, superando os designs convencionais que posicionam o HBM ao lado do processador.
Além disso, zHBM é projetado para entregar maior banda e potência reduzida, habilitando o tratamento rápido de dados necessário para o treinamento em larga escala e inferência para inteligência artificial.
V10 BV-NAND: O Próximo Passo em Memória Avançada
A Samsung também apresentou o V10 BV-NAND, que marca outro marco na inovação da empresa em NAND.
Com mais de 400 camadas, o V10 BV-NAND entrega desempenho melhorado e eficiência energética aprimorada ao mesmo tempo que aumenta significativamente a densidade de memória em comparação com a geração anterior.
Portfólio de Memória IA da Samsung
A Samsung também destacou seu portfólio de memória e armazenamento mais recente, incluindo HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM e PM1763, ressaltando sua visão para o futuro da computação em nuvem e infraestrutura de IA.
